RFN10NS6STL

DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS
RFN10NS6STL P1
RFN10NS6STL P1
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Rohm Semiconductor ~ RFN10NS6STL

Numéro d'article
RFN10NS6STL
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article RFN10NS6STL
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Courant - Rectifié moyen (Io) 10A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.55V @ 10A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 50ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur LPDS
Température de fonctionnement - Jonction 150°C (Max)

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