RB088T100HZC9

SCHOTTKY BARRIER DIODE
RB088T100HZC9 P1
RB088T100HZC9 P1
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Rohm Semiconductor ~ RB088T100HZC9

Numéro d'article
RB088T100HZC9
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
SCHOTTKY BARRIER DIODE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- RB088T100HZC9 PDF online browsing
Famille
Diodes - Redresseurs - Matrices
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Numéro d'article RB088T100HZC9
État de la pièce Active
Configuration de diode 1 Pair Common Cathode
Type de diode Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) 10A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 870mV @ 5A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 8.2ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 5µA @ 100V
Température de fonctionnement - Jonction 150°C (Max)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack
Package de périphérique fournisseur TO-220FN

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