HP8KA1TB

MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8
HP8KA1TB P1
HP8KA1TB P1
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Rohm Semiconductor ~ HP8KA1TB

Numéro d'article
HP8KA1TB
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article HP8KA1TB
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2550pF @ 15V
Puissance - Max 3W
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseur 8-HSOP

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