R1WV6416RSD-5SI#B0

64M ADV LPSRAM STACKED UTSOP
R1WV6416RSD-5SI#B0 P1
R1WV6416RSD-5SI#B0 P1
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

Renesas Electronics America ~ R1WV6416RSD-5SI#B0

Numéro d'article
R1WV6416RSD-5SI#B0
Fabricant
Renesas Electronics America
La description
64M ADV LPSRAM STACKED UTSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- R1WV6416RSD-5SI#B0 PDF online browsing
Famille
Mémoire
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article R1WV6416RSD-5SI#B0
État de la pièce Last Time Buy
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire SRAM
La technologie SRAM
Taille mémoire 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
Fréquence d'horloge -
Écrire un temps de cycle - Word, Page 55ns
Temps d'accès 55ns
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Package de périphérique fournisseur 52-TSOP II

Produits connexes

Tous les produits