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| Numéro d'article | NP23N06YDG-E1-AY |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 11.5A, 10V |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 8-HSON |
| Paquet / cas | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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NP23N06YDG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON | - | 0 | Détails |