QJD1210011

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
QJD1210011 P1
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Powerex Inc. ~ QJD1210011

Numéro d'article
QJD1210011
Fabricant
Powerex Inc.
La description
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article QJD1210011
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 500nC @ 20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10200pF @ 800V
Puissance - Max 900W
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module

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