NTJS3157NT2G

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363
NTJS3157NT2G P1
NTJS3157NT2G P1
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ON Semiconductor ~ NTJS3157NT2G

Numéro d'article
NTJS3157NT2G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- NTJS3157NT2G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article NTJS3157NT2G
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 4A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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