NSVIMD10AMT1G

SURF MT BIASED RES XSTR
NSVIMD10AMT1G P1
NSVIMD10AMT1G P1
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ON Semiconductor ~ NSVIMD10AMT1G

Numéro d'article
NSVIMD10AMT1G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
SURF MT BIASED RES XSTR
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
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Numéro d'article NSVIMD10AMT1G
État de la pièce Active
Type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 500mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 13 kOhms, 130 Ohms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 285mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur SC-74R

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