FDMD8430

FET ENGR DEV-NOT REL
FDMD8430 P1
FDMD8430 P1
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

ON Semiconductor ~ FDMD8430

Numéro d'article
FDMD8430
Fabricant
ON Semiconductor
La description
FET ENGR DEV-NOT REL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- FDMD8430 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article FDMD8430
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 28A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.12 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5035pF @ 15V
Puissance - Max 2.1W (Ta), 29W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerWDFN
Package de périphérique fournisseur 8-PQFN (3.3x5)

Produits connexes

Tous les produits