FDG6304P-F169

INTEGRATED CIRCUIT
FDG6304P-F169 P1
FDG6304P-F169 P1
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ON Semiconductor ~ FDG6304P-F169

Numéro d'article
FDG6304P-F169
Fabricant
ON Semiconductor
La description
INTEGRATED CIRCUIT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- FDG6304P-F169 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article FDG6304P-F169
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 62pF @ 10V
Puissance - Max 300mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363

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