EMF5XV6T5G

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
EMF5XV6T5G P1
EMF5XV6T5G P1
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ON Semiconductor ~ EMF5XV6T5G

Numéro d'article
EMF5XV6T5G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
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Numéro d'article EMF5XV6T5G
État de la pièce Active
Type de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V, 12V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 47k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 47k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 500mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur SOT-563

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