EFC4C012NLTDG

NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL
EFC4C012NLTDG P1
EFC4C012NLTDG P1
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ON Semiconductor ~ EFC4C012NLTDG

Numéro d'article
EFC4C012NLTDG
Fabricant
ON Semiconductor
La description
NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- EFC4C012NLTDG PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article EFC4C012NLTDG
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 2.5W (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-SMD, No Lead
Package de périphérique fournisseur 6-WLCSP (3.5x1.9)

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