Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

ON Semiconductor ~ BAS21TMR6T1G

Numéro d'article	BAS21TMR6T1G
État de la pièce	Active
Configuration de diode	3 Independent
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	250V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)	200mA (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.25V @ 200mA
La vitesse	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de récupération inverse (trr)	50ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	1µA @ 200V
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SC-74, SOT-457
Package de périphérique fournisseur	SC-74

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
BAS20	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GP 200V 200MA SOT23-3	-	0	Détails
BAS20 RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	-	1755335	Détails
BAS20,215	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23		12000	Détails
BAS20,235	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23		0	Détails
BAS20-7	Diodes Incorporated	DIODE GP 150V 200MA SOT23-3	-	0	Détails
BAS20-7-F	Diodes Incorporated	DIODE GP 150V 200MA SOT23-3	-	0	Détails
BAS20-E3-08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	-	0	Détails
BAS20-E3-18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	-	0	Détails
BAS20-G3-08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	-	0	Détails
BAS20-G3-18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	-	0	Détails
BAS20-HE3-08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	-	0	Détails
BAS20-HE3-18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	-	0	Détails