AFT18H357-24NR6

IC TRANS RF LDMOS
AFT18H357-24NR6 P1
AFT18H357-24NR6 P1
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NXP USA Inc. ~ AFT18H357-24NR6

Numéro d'article
AFT18H357-24NR6
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
IC TRANS RF LDMOS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - RF
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Numéro d'article AFT18H357-24NR6
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS (Dual)
La fréquence 1.81GHz
Gain 17.5dB
Tension - Test 28V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Actuel - Test 800mA
Puissance - Sortie 63W
Tension - Rated 65V
Paquet / cas OM-1230-4L2L
Package de périphérique fournisseur OM-1230-4L2L

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