Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | BAS316/DG/B3,135 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 250mA (DC) |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 80V |
| Capacitance @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-236AB |
| Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BAS316 RRG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 250MA SOD323 | - | 1756739 | Détails |
 |
BAS316,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 | 0 | Détails | |
 |
BAS316,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 | 0 | Détails | |
|
BAS316,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 100V 250MA USC | - | 2152293 | Détails |
 |
BAS316-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 | - | 0 | Détails |
|
BAS316/DG/B3,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236 | - | 396 | Détails |
|
BAS316/DG/B3,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236 | - | 396 | Détails |
 |
BAS316/ZLF | NXP USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323 | - | 0 | Détails |
 |
BAS316/ZLX | NXP USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323 | - | 0 | Détails |
|
BAS316WS RRG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 250MA SOD323F | - | 1756739 | Détails |
 |
BAS316Z | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SC76-2 | 0 | Détails |