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| Numéro d'article | JANTX2N4856UB |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Tension - Panne (V (BR) GSS) | 40V |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 40V |
| Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 175mA @ 15V |
| Drain de courant (Id) - Max | - |
| Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 10V @ 500pA |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 18pF @ 10V (VGS) |
| Résistance - RDS (On) | 25 Ohm |
| Puissance - Max | 360mW |
| Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 3-SMD, No Lead |
| Package de périphérique fournisseur | UB |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | Détails |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | Détails |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | Détails |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | Détails |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | Détails |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | Détails |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | Détails |
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JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | Détails |
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JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |