Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | JANTX2N1711 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | NPN |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 30V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 15mA, 150mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 10nA (ICBO) |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Puissance - Max | 800mW |
| Fréquence - Transition | - |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Package de périphérique fournisseur | TO-5 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | Détails |
|
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | Détails |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | Détails |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | Détails |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | Détails |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | Détails |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | Détails |
 |
JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | Détails |
|
JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |