2N5416UA/TR

POWER BJT
2N5416UA/TR P1
2N5416UA/TR P1
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Microsemi Corporation ~ 2N5416UA/TR

Numéro d'article
2N5416UA/TR
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
POWER BJT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- 2N5416UA/TR PDF online browsing
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
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Numéro d'article 2N5416UA/TR
État de la pièce Active
Type de transistor PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 1A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 300V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 50µA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V
Puissance - Max -
Fréquence - Transition -
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 4-SMD, No Lead
Package de périphérique fournisseur UA

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