MCCD2004-TP

MOSFET 2N-CH 20V 10A
MCCD2004-TP P1
MCCD2004-TP P1
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Micro Commercial Co ~ MCCD2004-TP

Numéro d'article
MCCD2004-TP
Fabricant
Micro Commercial Co
La description
MOSFET 2N-CH 20V 10A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article MCCD2004-TP
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 18.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1955pF @ 10V
Puissance - Max -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-WFDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur DFN2030-6

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