VMO580-02F

MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
VMO580-02F P1
VMO580-02F P1
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IXYS ~ VMO580-02F

Numéro d'article
VMO580-02F
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- VMO580-02F PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article VMO580-02F
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 580A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 50mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 2750nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 430A, 10V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur Y3-Li
Paquet / cas Y3-Li

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