IXYQ40N65C3D1

IGBT
IXYQ40N65C3D1 P1
IXYQ40N65C3D1 P1
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IXYS ~ IXYQ40N65C3D1

Numéro d'article
IXYQ40N65C3D1
Fabricant
IXYS
La description
IGBT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IXYQ40N65C3D1 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article IXYQ40N65C3D1
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 180A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 40A
Puissance - Max 300W
Échange d'énergie 830µJ (on), 650µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 66nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 23ns/110ns
Condition de test 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 40ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-3P-3, SC-65-3
Package de périphérique fournisseur TO-3P

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