IXYN75N65C3D1

IGBT
IXYN75N65C3D1 P1
IXYN75N65C3D1 P1
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IXYS ~ IXYN75N65C3D1

Numéro d'article
IXYN75N65C3D1
Fabricant
IXYS
La description
IGBT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IXYN75N65C3D1 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article IXYN75N65C3D1
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 150A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 360A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 60A
Puissance - Max 600W
Échange d'énergie 2mJ (on), 950µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 122nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 26ns/93ns
Condition de test 400V, 60A, 3 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 65ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC
Package de périphérique fournisseur SOT-227B

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