IXYK100N65B3D1

IGBT
IXYK100N65B3D1 P1
IXYK100N65B3D1 P1
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IXYS ~ IXYK100N65B3D1

Numéro d'article
IXYK100N65B3D1
Fabricant
IXYS
La description
IGBT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article IXYK100N65B3D1
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 225A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 460A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 70A
Puissance - Max 830W
Échange d'énergie 1.27mJ (on), 2mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 168nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 29ns/150ns
Condition de test 400V, 50A, 3 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 37ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-264-3, TO-264AA
Package de périphérique fournisseur TO-264

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