IXXN110N65C4H1

IGBT 650V 210A 750W SOT227B
IXXN110N65C4H1 P1
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IXYS ~ IXXN110N65C4H1

Numéro d'article
IXXN110N65C4H1
Fabricant
IXYS
La description
IGBT 650V 210A 750W SOT227B
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article IXXN110N65C4H1
État de la pièce Active
Type d'IGBT PT
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 210A
Puissance - Max 750W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 110A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 50µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 3.69nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC
Package de périphérique fournisseur SOT-227B

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