IXTY12N06T

MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
IXTY12N06T P1
IXTY12N06T P1
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IXYS ~ IXTY12N06T

Numéro d'article
IXTY12N06T
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXTY12N06T
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.4nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 256pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 6A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-252
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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