IXTQ36P15P

MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P
IXTQ36P15P P1
IXTQ36P15P P1
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IXYS ~ IXTQ36P15P

Numéro d'article
IXTQ36P15P
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXTQ36P15P
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 36A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 18A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-3P
Paquet / cas TO-3P-3, SC-65-3

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