IXTN170P10P

MOSFET P-CH 100V 170A SOT227
IXTN170P10P P1
IXTN170P10P P1
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IXYS ~ IXTN170P10P

Numéro d'article
IXTN170P10P
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET P-CH 100V 170A SOT227
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IXTN170P10P PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXTN170P10P
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 170A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 240nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12600pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-227B
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC

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