IXTK120P20T

MOSFET P-CH 200V 120A TO-264
IXTK120P20T P1
IXTK120P20T P1
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IXYS ~ IXTK120P20T

Numéro d'article
IXTK120P20T
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET P-CH 200V 120A TO-264
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IXTK120P20T PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXTK120P20T
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 740nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 73000pF @ 25V
Vgs (Max) -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 60A, 10V
Température de fonctionnement -
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-264 (IXTK)
Paquet / cas TO-264-3, TO-264AA

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