IXFV20N80PS

MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220SMD
IXFV20N80PS P1
IXFV20N80PS P1
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IXYS ~ IXFV20N80PS

Numéro d'article
IXFV20N80PS
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220SMD
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXFV20N80PS
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4685pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PLUS-220SMD
Paquet / cas PLUS-220SMD

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