IXFT15N100Q

MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
IXFT15N100Q P1
IXFT15N100Q P1
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IXYS ~ IXFT15N100Q

Numéro d'article
IXFT15N100Q
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IXFT15N100Q PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXFT15N100Q
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1000V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-268
Paquet / cas TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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