IXFP130N15X3

MOSFET N-CH
IXFP130N15X3 P1
IXFP130N15X3 P1
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IXYS ~ IXFP130N15X3

Numéro d'article
IXFP130N15X3
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET N-CH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IXFP130N15X3 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXFP130N15X3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 130A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5230pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 390W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220AB
Paquet / cas TO-220-3

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