IS43R86400E-6BL

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
IS43R86400E-6BL P1
IS43R86400E-6BL P1
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ~ IS43R86400E-6BL

Numéro d'article
IS43R86400E-6BL
Fabricant
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
La description
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IS43R86400E-6BL PDF online browsing
Famille
Mémoire
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Numéro d'article IS43R86400E-6BL
État de la pièce Active
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire DRAM
La technologie SDRAM - DDR
Taille mémoire 512Mb (64M x 8)
Fréquence d'horloge 166MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 700ps
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 2.3V ~ 2.7V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 60-TFBGA
Package de périphérique fournisseur 60-TFBGA (13x8)

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