IRG8B08N120KDPBF

DIODE 1200V 8A TO-220
IRG8B08N120KDPBF P1
IRG8B08N120KDPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRG8B08N120KDPBF

Numéro d'article
IRG8B08N120KDPBF
Fabricant
Infineon Technologies
La description
DIODE 1200V 8A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article IRG8B08N120KDPBF
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 15A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 15A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 5A
Puissance - Max 89W
Échange d'énergie 300µJ (on), 300µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 45nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 20ns/160ns
Condition de test 600V, 5A, 47 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 50ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-220-3
Package de périphérique fournisseur TO-220AB

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