IPD60R600E6

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
IPD60R600E6 P1
IPD60R600E6 P1
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Infineon Technologies ~ IPD60R600E6

Numéro d'article
IPD60R600E6
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IPD60R600E6 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IPD60R600E6
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 7.3A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 20.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 2.4A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TO252-3
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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