IGC11T120T8LX1SA1

IGBT 1200V 8A SAWN ON FOIL
IGC11T120T8LX1SA1 P1
IGC11T120T8LX1SA1 P1
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Infineon Technologies ~ IGC11T120T8LX1SA1

Numéro d'article
IGC11T120T8LX1SA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IGBT 1200V 8A SAWN ON FOIL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IGC11T120T8LX1SA1 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article IGC11T120T8LX1SA1
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) -
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 24A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.07V @ 15V, 8A
Puissance - Max -
Échange d'énergie -
Type d'entrée Standard
Charge de porte -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -
Condition de test -
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas Die
Package de périphérique fournisseur Die

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