IFS200V12PT4BOSA1

MODULE IPM MIPAQ-3
IFS200V12PT4BOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ IFS200V12PT4BOSA1

Numéro d'article
IFS200V12PT4BOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MODULE IPM MIPAQ-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IFS200V12PT4BOSA1 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article IFS200V12PT4BOSA1
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT -
Configuration Three Phase Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 200A
Puissance - Max -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
Courant - Coupure du collecteur (Max) -
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce -
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module

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