FD400R33KF2CKNOSA1

IGBT MODULE VCES 650V 400A
FD400R33KF2CKNOSA1 P1
FD400R33KF2CKNOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ FD400R33KF2CKNOSA1

Numéro d'article
FD400R33KF2CKNOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IGBT MODULE VCES 650V 400A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- FD400R33KF2CKNOSA1 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article FD400R33KF2CKNOSA1
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration Single Chopper
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 3300V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 660A
Puissance - Max 4800W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.25V @ 15V, 400A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 50nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module

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