DZ800S17K3HOSA1

IGBT MODULE 1700V 800A
DZ800S17K3HOSA1 P1
DZ800S17K3HOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ DZ800S17K3HOSA1

Numéro d'article
DZ800S17K3HOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IGBT MODULE 1700V 800A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- DZ800S17K3HOSA1 PDF online browsing
Famille
Diodes - Redresseurs - Matrices
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Numéro d'article DZ800S17K3HOSA1
État de la pièce Active
Configuration de diode -
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 1700V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) -
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 2.2V @ 800A
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 780A @ 900V
Température de fonctionnement - Jonction -40°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur AG-62MM-2

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