DF1000R17IE4BOSA1

IGBT MODULE 1700V 1000A
DF1000R17IE4BOSA1 P1
DF1000R17IE4BOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ DF1000R17IE4BOSA1

Numéro d'article
DF1000R17IE4BOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IGBT MODULE 1700V 1000A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- DF1000R17IE4BOSA1 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article DF1000R17IE4BOSA1
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1700V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) -
Puissance - Max 6250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 1000A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 81nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module

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