BSM50GD170DLBOSA1

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
BSM50GD170DLBOSA1 P1
BSM50GD170DLBOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ BSM50GD170DLBOSA1

Numéro d'article
BSM50GD170DLBOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- BSM50GD170DLBOSA1 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article BSM50GD170DLBOSA1
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT -
Configuration Full Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1700V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100A
Puissance - Max 480W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.3V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 3.5nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module

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