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| Numéro d'article | HTNFET-D |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 55V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | - |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 28V |
| Vgs (Max) | 10V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 50W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | 8-CDIP-EP |
| Paquet / cas | 8-CDIP Exposed Pad |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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HTNFET-D | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | - | 0 | Détails |
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