S12Q

DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4
S12Q P1
S12Q P1
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GeneSiC Semiconductor ~ S12Q

Numéro d'article
S12Q
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
La description
DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article S12Q
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Courant - Rectifié moyen (Io) 12A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.1V @ 12A
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 10µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F -
Type de montage Chassis, Stud Mount
Paquet / cas DO-203AA, DO-4, Stud
Package de périphérique fournisseur DO-4
Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 175°C

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