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| Numéro d'article | MURT10020R |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Configuration de diode | - |
| Type de diode | Standard, Reverse Polarity |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) | 100A (DC) |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 50A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 50V |
| Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | Three Tower |
| Package de périphérique fournisseur | Three Tower |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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MURT10005 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER | 0 | Détails | |
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MURT10005R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER | 0 | Détails | |
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MURT10040R | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER | 0 | Détails | |
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