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| Numéro d'article | GC50MPS06-247 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 50A (DC) |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | - |
| La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-2 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247-2 |
| Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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GC50MPS06-247 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 650V 50A TO-247-2 | - | 3503 | Détails |
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GC50MPS12-247 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 1200V 50A TO-247-2 | - | 1572 | Détails |