GB01SLT12-214

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A
GB01SLT12-214 P1
GB01SLT12-214 P1
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GeneSiC Semiconductor ~ GB01SLT12-214

Numéro d'article
GB01SLT12-214
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
La description
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article GB01SLT12-214
État de la pièce Active
Type de diode Silicon Carbide Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Courant - Rectifié moyen (Io) 2.5A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.8V @ 1A
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 10µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F 69pF @ 1V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas DO-214AA, SMB
Package de périphérique fournisseur SMB (DO-214AA)
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C

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