Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FQAF28N15

Numéro d'article	FQAF28N15
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	150V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	22A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 25V
Vgs (Max)	±25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 11A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-3PF
Paquet / cas	SC-94

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
FQA10N60C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P		0	Détails
FQA10N80	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P		0	Détails
FQA10N80C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P		0	Détails
FQA10N80C-F109	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P	-	16383	Détails
FQA10N80C_F109	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P	-	50	Détails
FQA10N80_F109	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P		0	Détails
FQA11N90	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P		0	Détails
FQA11N90-F109	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P	-	13278	Détails
FQA11N90C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P		0	Détails
FQA11N90C-F109	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P	-	13894	Détails
FQA11N90C_F109	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P	-	58	Détails
FQA11N90_F109	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P	-	0	Détails