FDZ1905PZ

MOSFET 2P-CH 6-WLCSP
FDZ1905PZ P1
FDZ1905PZ P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDZ1905PZ

Numéro d'article
FDZ1905PZ
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET 2P-CH 6-WLCSP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- FDZ1905PZ PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article FDZ1905PZ
État de la pièce Active
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 126 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 900mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-UFBGA, WLCSP
Package de périphérique fournisseur 6-WLCSP

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