FDPC8011S

MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN
FDPC8011S P1
FDPC8011S P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDPC8011S

Numéro d'article
FDPC8011S
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- FDPC8011S PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article FDPC8011S
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 13A, 27A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1240pF @ 13V
Puissance - Max 800mW, 900mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerWDFN
Package de périphérique fournisseur 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

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