FDMS3606AS

MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56
FDMS3606AS P1
FDMS3606AS P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDMS3606AS

Numéro d'article
FDMS3606AS
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article FDMS3606AS
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 13A, 27A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1695pF @ 15V
Puissance - Max 1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseur Power56

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