FDMD8530

MOSFET 2N-CH 30V 35A
FDMD8530 P1
FDMD8530 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDMD8530

Numéro d'article
FDMD8530
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 30V 35A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article FDMD8530
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 149nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10395pF @ 15V
Puissance - Max 2.2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerWDFN
Package de périphérique fournisseur Power56

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